pvt材料是通过物理气相传输法运输，具体如下:

物理气相传输法（Physical Vapor Transport，PVT），即在高温区将材料升华，然后输送到冷凝区使其成为饱和蒸气，经过冷凝成核而长成晶体。

使用PVT法生长SiC晶体时，使原料处于高温区，籽晶处于相对低温区，进而处于温度较高处的原料发生分解，不经液相态直接产生气相SiXCy物质（主要包含Si、Si2C、SiC2等），这些气相物质在轴向温度梯度的驱动下输运到籽晶处，在籽晶处形核、长大，最终结晶形成SiC单晶。

SiC原料表面到籽晶之间的温度梯度是SiC晶体生长的驱动力，通常设计的温度梯度在5-20K/cm之间，温度梯度越高，到达籽晶表面气相物质的过饱和度就越高，SiC晶体的生长速度越快。但速度过快（如沿晶体生长方向速度达0.5mm/h以上），则晶体极容易产生异质晶型，导致晶体生长过程失败。